长鑫成功研发无EUV光刻DRAM新技术，领先韩国存储巨头抢先布局

7月6日消息，据报道，长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。

几乎同一时间，苹果正积极推动将长鑫存储纳入DRAM供应链，以对冲AI数据报道称，韩国与中国在存储领域的技术差距已从5年以上缩小至3年左右，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。

键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，这项技术将存储单元阵列和外围控制逻辑分别制造在不同晶圆上，再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，取消传统微凸点连接，好处是缩短连线距离、降低寄生电阻、提升传输速度并降低功耗，同时不增加芯片横向面积。

更关键的是，长鑫存储无需EUV光刻机，仅靠DUV设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度DRAM，完美绕过美国出口管制。

HBM战场同样在加速，三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，明年将量产HBM4E，而长鑫存储将20%的产线转为HBM专用，正在全力冲击HBM3和HBM3E。

首尔大学教授崔宇永警告，一旦华为等中国本土AI芯片厂商开始内采HBM积累实战经验，良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。

此外，长鑫存储还在向CXL 3.0 DRAM市场延伸。

NAND领域长江存储的领先优势更加明显，其独创的Xtacking架构已从160层量产到270层，在400层以上超高层NAND必备的W2W混合键合工艺上，长江存储以119件核心专利构筑了远超韩国企业的壁垒，而三星电子仅83件，SK海力士更只有11件。

三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，已向长江存储寻求专利授权，这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例。而W2W混合键合正是键合DRAM所依赖的同一底层技术，长江存储在NAND领域积累的专利优势同样适用于DRAM战场。

从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，从HBM追击到NAND专利授权逆转，中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。首尔大学黄哲圣教授直言，中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。