中国存储技术全面追赶！韩国承认：DRAM落后2年、NAND仅差1年

9月16日消息，韩国半导体产业协会首次量化了中国存储芯片与韩国之间的技术差距：<ul><li>NAND闪存仅落后1年</li><li>DRAM落后2年</li><li>HBM落后3年</li></ul>此前，这一差距长期维持在5年左右。

NAND方面，三星和SK海力士2025年开始量产300层NAND，长江存储同期量产270层，到2027年，长江存储将跃升至400层，与三星和SK海力士的差距收窄至1年左右。

DRAM方面，三星和SK海力士2023年开始量产DDR5，长鑫存储 2025年才跟上，差距约2年，但长鑫存储已经在量产LPDDR5X，并启动了LPDDR6的生产。

HBM是差距最大的领域，目前落后约3年，长鑫存储刚启动HBM3E模块的试产，良率仅约25%，在TSV硅通孔工艺上仍面临挑战。

值得注意的是，长鑫存储采用长江存储的X-Stacking 3D NAND方案在G4工艺上构建HBM3E堆叠，不依赖传统微凸点，而是利用长江存储的铜铜混合键合技术，将晶圆间铜互连直接合并，缩短堆叠DRAM层之间的电路路径。

这一架构的关键优势在于，长鑫存储和长江存储无需EUV光刻机就能制造出有竞争力的HBM产品。

产能扩张方面，长鑫存储正以每月30万片晶圆的规模急速扩张，通过三座月产能约10万片的300mm DRAM晶圆厂在今年底达成目标。到2026年底，长鑫存储还将拥有月产5万片的HBM专用产能。

此外，长鑫存储正在上海和合肥各建一座新厂，建成后总产能将提升至月产60万片，有望在2030年按产量超越美光。

长江存储方面，产能预计在2027年初达到月产30万片，部分产能用于LPDDR，两座新厂2027年投产后，到2028年总产能将达月产45万至50万片，而三星到2027年底NAND产能为月产35万片。

工艺技术上，长鑫存储正在G4 DRAM工艺（普遍认为属于1z节点）和LPDDR5X产品上应用HKMG（高K金属栅极）技术，用氧化铪（HfO₂）替代传统硅基绝缘材料，降低漏电和废热，提升能效并为更高频率铺路。

HKMG的应用意味着长鑫存储即将从1z节点向更先进的1a节点过渡，而其下一代15nm G5 DRAM工艺已在开发中。