韩国好日子将结束：国产内存明年产能提升30%，HBM3e顺利上线

10月16日消息，NVIDIA CEO 黄仁勋日前暗示某些企业在涨价时不要过于激进，避免自己吞噬所有利润。大家都明白他所指的是内存涨价的问题。

内存及闪存涨价让三星、SK海力士两家公司利润10倍增长，今年的净利润要创纪录了，单季度都是奔着1000亿美元去了，这也成为韩国的国运，经济、出口、税收全面受益于这一波内存闪存涨价。

但是这样的好日子不可能一直持续下去的，三星、SK海力士一直对外释放内存涨价要到2030年之后，甚至整个30年代都会缺货，只是这个想法不会如愿的，事实上内存市场反转的速度可能比他们的预期更快。

这就是最近几天韩国股市暴跌的原因——中国公司长鑫科技的内存产能涨的太快了，而且技术差距也在快速缩短，甚至比三星还要早2年量产4F2技术内存，可以进一步将内存密度提升30%以上。

之前我们报道过，长鑫的新产能在2028年开出，预计到时候总产能会在当前30万片晶圆/月的基础上翻倍到60万片晶圆/月。

最新消息显示，长鑫2027年的产能也有所上修，大概能增加30%产能，达到38-42万晶圆/月。

即将到来的Q3季度财报中，长鑫营收预计会增加10%，增速比以前也有所下降了，这主要是涨价滞后一个季度的影响，好消息是内存的毛利率还会继续增加。

长鑫目前在DDR、LPDDR这种通用型内存上追赶的很快，目前比三星海力士落后的主要是HBM内存上，他们今年量产了HBM4内存，长鑫明年才会推出HBM3e内存，目前的进展也比较顺利。

结合之前华为昇腾960芯片提前3个季度来看，HBM内存上国产追赶的速度也会非常快，甚至超过很多人的预期，昇腾960的9.6TB/s带宽已经是H200的2倍，比B300的8TB/s还要高，288GB的容量也远超H200的192GB，达到了B300的水平。

这就是一个明显的信号，明年国产HBM3e内存会有一个爆发期。