三星M2800基带押注AI存储：2nm技术与4nm产能倾斜HBM4分析

10月25日消息，三星电子已决定将原计划于2027年完成开发的新一代外挂式5G基带芯片M2800由4nm升级至2nm制造。

M2800预计将与Exynos 2800处理器搭配，率先应用于2028年上市的Galaxy S28系列手机。

随着新一代移动基带芯片生产转移至2nm，三星可释放部分4nm生产线产能，并将其转用于生产HBM所需、包含控制电路的基础芯片。

瑞银模型显示，三星HBM出货量市场份额将从2025年的20%升至今年的31%，2027年进一步升至40%，届时将首次超过SK海力士的39%，登顶全球第一。

三星的底气来自HBM4量产进展，三星于2026年2月在全球率先启动HBM4量产，采用4nm逻辑基底芯片与1c nm工艺DRAM组合，单引脚速率达11.7Gbps，最高可提升至13Gbps，超出JEDEC标准8Gbps约46%。

此前量产初期良率不足60%，目前已提升至80%左右，提前达到年底目标。