韩日联合出击：DRAM芯片竖放解决AI内存散热难题

7月11日消息，韩国和日本研究人员在2026年IEEE/JSAP VLSI技术与电路研讨会上，提出了两种全新的HBM（高带宽内存）方案，核心思路惊人一致：将DRAM（动态随机存取内存）芯片竖直放置，以解决AI芯片日益严重的散热瓶颈。

韩国方案叫V-Die，由蔚山国家科学技术研究所（UNIST）提出。这套设计把定制DRAM芯片旋转90度竖直放置，用TSV（硅通孔）释放芯片面积来塞更多内存单元，每个芯片底部独立走I/O通道，相邻芯片之间还塞了液冷散热通道。

模拟测试中，同样容量下V-Die跑GPT-3级别负载达到540 tokens/s，而传统HBM4只有296 tokens/s，性能翻了近一倍。

日本方案叫MOSAIC，由东京大学团队主导，思路类似但重点不同，它用正交芯片堆叠加上无接触芯片间接口，数据传输不靠物理触点，而是通过微型电感线圈耦合，每个通道速率跑到4 Gbps。

研究团队称这种结构能让DRAM-on-GPU配置下的容量达到HBM4的两倍。

两种方案直指同一个痛点，AI芯片被内存卡脖子，现代AI加速器算力够强，但大模型要频繁在内存和计算单元之间搬运海量数据，HBM靠垂直堆叠DRAM芯片靠近处理器来缓解这个矛盾，英伟达Blackwell Ultra B300就配了288GB HBM3E。

但堆得越高散热越难，V-Die和MOSAIC本质上都是用"侧放"换散热空间，顺便还把带宽和容量一起拉上去了。

不过这两项技术目前还停留在论文阶段，距离量产还有距离。