日本投资1600亿日元推动光通信芯片量产，2027年迎来新机遇

7月15日消息，以色列晶圆代工企业Tower Semiconductor（高塔半导体）宣布，计划在日本进行总价值约6000亿日元（约250.45亿元人民币）的产能建设投资，目标包括：<br> - 硅光子<br> - 硅锗<br> - 先进光学封装等光通信领域。

日本政府将根据《经济安全保障推进法》提供至多约1600亿日元（约66.79亿元人民币）的补助，这是该框架下最大的半导体补贴项目。

光通信芯片是AI数据中心的关键元件，负责在电信号和光信号之间转换，实现更快的传输速度和更低的功耗，是"光电融合技术"的核心。

Tower Semiconductor在全球光通信半导体市场份额领先，这次在日本建厂量产后，将显著增强对日本本土数据中心和通信设备厂商的供应能力。

高塔半导体计划在富山县鱼津市的既有晶圆厂Fab 7旁新建一座12英寸生产设施，使硅光子和硅锗产能提升数倍，满足AI和数据中心日益增长的需求。

同时，高塔半导体将把新潟县妙高市的原Fab 6工厂改造为12英寸硅光子产能及先进封装基地，预计2027年第四季全面投产。

两家工厂合并目标月产能18000片300mm晶圆，供应紧张时将优先供应日本企业，计划还包括与NTT合作开发下一代光通信基础设施"IOWN"。

这也是日本政府继台积电熊本工厂和Rapidus先进半导体工厂之后，又一笔大手笔半导体补贴，显示日本加速建立本土芯片产能的决心。

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