Intel 18A工艺揭秘：ASML正式宣布采用High NA EUV光刻机提升技术优势

7月15日消息，Intel的18A工艺日前被指良率提升到了85%，进展喜人。没想到这代工艺还有隐藏的大招——ASML今天在财报会议上宣布，18A工艺还采用了High NA EUV光刻机。

High NA EUV光刻机是相对当前的EUV光刻机而言的下一代产品，NA从0.33提升到了0.55，该数值越大，光刻分辨率越低，公认为2nm以下节点不可或缺的核心制造设备，其售价预计达到4亿美元，比当前的EUV光刻机差不多翻倍。

High NA EUV光刻机的首个客户确实是Intel公司，但Intel此前的路线图显示要到下一代的14A工艺才会启用High NA EUV，而ASML今天的公告意味着18A就开始用了。

根据ASM的说法，Intel使用18A工艺制造的Core Ultra Series 3处理器上使用了ASM的EXE High NA EUV技术，位于俄勒冈州的18A工艺特定层通过了High NA EUV双重认证，发货的良率与EXE平台相匹配。

从这点来看，18A工艺是在部分光刻层上用了High NA EUV光刻，不是全部层，这跟台积电当年首次量产EUV工艺的做法差不多，一方面是做试验，一方面也是降低曾本，全部使用High NA EUV的代价太高。

18A工艺首次使用了High NA EUV工艺，这一里程碑对双方来说都是大有裨益，意味着High NA EUV工艺能够走入量产阶段，甚至比计划的时间还要提前。

除了Intel之外，SK海力士、三星也计划在未来一两年增加High NA EUV光刻机的采购量，而作为业界第一的台积电只采购了一台用于研究，他们的计划是直到A12工艺节点都不需要High NA EUV光刻机，可能A10及之后工艺才会上，也就是到1nm节点以下。